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        IGBT模塊使用注意事項

        作者: 深圳市遠志電子有限公司發表時間:2017-12-27 11:38:50瀏覽量:2845

        IGBT模塊的術語及其特性術語說明:集電極、發射極間處于交流短路狀態,在柵極、發射極間及集電極、發射極間加上指定電壓時,柵極、發射極間的電容......
        文本標簽:

              1.IGBT模塊的術語及其特性術語說明
              集電極、發射極間處于交流短路狀態,在柵極、發射極間及集電極、發射極間加上指定電壓時,柵極、發射極間的電容。


              2.IGBT模塊使用上的注意事項


              1. IGBT模塊的選定
              在使用IGBT模塊的場合,選擇何種電壓,電流規格的IGBT模塊,需要做周密的考慮。
              a. 電流規格
              IGBT模塊的集電極電流增大時,VCE(-)上升,所產生的額定損耗亦變大。同時,開關損耗增大,原件發熱加劇。因此,根據額定損耗,開關損耗所產生的熱量,控制器件結溫(Tj)在 150oC以下(通常為安全起見,以125oC以下為宜),請使用這時的集電流以下為宜。特別是用作高頻開關時,由于IGBT模塊注意事項開關損耗增大,發熱也加劇,需十分注意。一般來說,要將集電極電流的最大值控制在直流額定電流以下使用,從經濟角度這是值得推薦的。
              b.電壓規格
              IGBT模塊的電壓規格IGBT模塊注意事項與所使用裝置的輸入電源即市電電源電壓緊。根據使用目的,并參考本表,請選擇相應的元件。
         
              2. 防止靜電
              IGBT的VGE的耐壓值為±20V,在IGBT模塊上加出了超出耐壓值的電壓的場合,由于會導致損壞的危險,因而在柵極-發射極之間不能超出耐壓值的電壓,這點請注意。
              在使用裝置的場合,如果柵極回路不合適或者柵極回路完全不能工作時(珊極處于開路狀態),若在主回路上加上電壓,則IGBT就會損壞,為防止這類損壞情況發生,應在柵極一發射極之間接一只10kΩ左左的電阻為宜。
              此外,由于IGBT模塊為MOS結構,對于IGBT模塊,IGBT模塊注意事項靜電就要十分注意。因此,請注意下面幾點:
             1)在使用模塊時,手持分裝件時,請勿觸摸驅動端子部份。
             2)在用導電材料連接驅動端子的模塊時,在配線未布好之前,請先不要接上模塊。
             3)盡量在底板良好接地的情況下操作。
             4)當必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電放電后,再觸摸。
             5)在焊接作業時,焊機與焊槽之間的漏泄IGBT模塊,IGBT模塊注意事項容易引起靜電壓的產生,為了防止靜電的產生,請先將焊機處于良好的接地狀態下。
             6)裝部件的容器,請選用不帶靜電的容器。


             3.并聯問題
             用于大容量逆變器等控制大電流場合使用IGBT模塊時,可以使用多個器件并聯。
             并聯時,要使每個器件流過均等的電流是IGBT模塊,IGBT模塊注意事項非常重要的,如果一旦電流平衡達到破壞,那么電過于集中的那個器件將可能被損壞。為使并聯時電流能平衡,適當改變器件的特性及接線方法。例如。挑選器件的VCE(sat)相同的并聯是很重要的。


             4.其他注意事項
             1)保存半導體原件的場所的溫度,溫度,應保持IGBT模塊,IGBT模塊注意事項在常溫常濕狀態,不應偏離太大。常溫的規定為5-35℃,常濕的規定為45—75%左右。
             2)開、關時的浪涌電壓等的測定,請在端子處測定。

        2017-12-27 2845人瀏覽

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